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PSMN2R6-80YSFX

PSMN2R6-80YSFX Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
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Technische Details PSMN2R6-80YSFX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 231A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 294W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX Nexperia psmn2r6-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
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PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX NEXPERIA 4247900.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
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PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX Nexperia PSMN2R6-80YSF.pdf MOSFETs PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
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PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX NEXPERIA 4247900.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
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MOSFETs PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
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Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
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