PSMN2R8-40PS,127 Nexperia
| Anzahl | Preis |
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| 136+ | 4.01 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 3.34 EUR |
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Technische Details PSMN2R8-40PS,127 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMN2R8-40PS,127 nach Preis ab 3.06 EUR bis 4.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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PSMN2R8-40PS,127 | Hersteller : Nexperia |
 MOSFET PSMN2R8-40PS/SOT78/SIL3P |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R8-40PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R8-40PS,127 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R8-40PS,127 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN2R8-40PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 797A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |