PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.69 EUR |
| 4500+ | 0.61 EUR |
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Technische Details PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 2700 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V, Verlustleistung: 88W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.
Weitere Produktangebote PSMN3R0-30MLC,115 nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PSMN3R0-30MLC,115 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN3R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN3R0-30MLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 2700 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V Verlustleistung: 88W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN3R0-30MLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 2700 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V Verlustleistung: 88W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN3R0-30MLC,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 443+ | 1.51 EUR |
| PSMN3R0-30MLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN3R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs PSMN3R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.14 EUR |
| 10+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 1500+ | 0.56 EUR |
| 3000+ | 0.54 EUR |
| PSMN3R0-30MLC,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
auf Bestellung 5665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.37 EUR |
| 15+ | 1.49 EUR |
| 50+ | 1.11 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| PSMN3R0-30MLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 2700 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 2700 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 3.97 EUR |
| 130+ | 1.78 EUR |
| 185+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| PSMN3R0-30MLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 2700 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 2700 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.97 EUR |
| 130+ | 1.78 EUR |
| 185+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |