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PSMN3R0-30YLDX

PSMN3R0-30YLDX Nexperia

1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
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Technische Details PSMN3R0-30YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 91W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.89 EUR
3000+0.82 EUR
4500+0.79 EUR
7500+0.75 EUR
10500+0.73 EUR
15000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
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114+1.54 EUR
162+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia PSMN3R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 4663 Stücke:
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2+2.03 EUR
10+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003059382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
128+1.82 EUR
187+1.15 EUR
203+1.06 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
auf Bestellung 29581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003059382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
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39+6.47 EUR
80+2.9 EUR
101+2.13 EUR
200+1.67 EUR
500+1.51 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN3R0-30YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
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Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
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1000+0.65 EUR
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3000+0.54 EUR
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PSMN3R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
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PSMN3R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2832 Stücke:
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80+2.9 EUR
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