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PSMN3R0-60PS,127

PSMN3R0-60PS,127 Nexperia

4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details PSMN3R0-60PS,127 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 306W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Nexperia 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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30+7.89 EUR
100+5.27 EUR
500+3.83 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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15+5.66 EUR
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Hersteller: NXP Semiconductors
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Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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19+13.84 EUR
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