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Technische Details PSMN4R3-30PL,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V.
Weitere Produktangebote PSMN4R3-30PL,127 nach Preis ab 1.84 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN4R3-30PL,127 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V |
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PSMN4R3-30PL,127 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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PSMN4R3-30PL,127 Produktcode: 192081
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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PSMN4R3-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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PSMN4R3-30PL,127 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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| PSMN4R3-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN4R3-30PL.127 THT N channel transistors |
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