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|---|---|
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Technische Details PSMN5R0-40MSHX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 62A, Pulsed drain current: 349A, Power dissipation: 83W, Case: LFPAK33; SOT1210, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: NextPowerS3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PSMN5R0-40MSHX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| PSMN5R0-40MSHX | Hersteller : NEXPERIA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN5R0-40MSHX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 |
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PSMN5R0-40MSHX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 |
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| PSMN5R0-40MSHX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 |
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