PSMN5R5-60YS,115
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 6720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 74A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 7618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm |
auf Bestellung 8335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 26 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 108 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.93 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.01 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.09 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.09 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.14 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.21 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.26 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.77 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| 250+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 2500+ | 1.49 EUR |
| 5000+ | 1.42 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 2.09 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.94 EUR |
| 200+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 3.06 EUR |
| 38+ | 2.3 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.06 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| 1500+ | 1.18 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.14 EUR |
| 10+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 8335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.5 EUR |
| 52+ | 4.47 EUR |
| 64+ | 3.38 EUR |
| 200+ | 2.33 EUR |
| 500+ | 2.14 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMN5R5-60YS,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMN5R5-60YS,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)