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PSMN5R5-60YS,115

Name: PSMN5R5-60YS,115
Brand: Nexperia
SKU: 21841488-5
Price: 1155.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 111161

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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1500+	0.84 EUR

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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1500+	0.95 EUR

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Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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1500+	1.01 EUR

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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Anzahl	Preis
1500+	1.02 EUR
3000+	0.95 EUR

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Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Anzahl	Preis
89+	1.63 EUR
100+	1.5 EUR
250+	1.39 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.11 EUR
5000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 89

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Anzahl	Preis
1500+	1.74 EUR

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 8.3mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 74A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669

auf Bestellung 1160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
28+	2.57 EUR
38+	1.93 EUR
100+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A

auf Bestellung 36567 Stücke:

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Anzahl	Preis
1+	2.9 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.02 EUR
1500+	0.98 EUR
3000+	0.93 EUR

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V

auf Bestellung 3273 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.38 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0003059601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1584 Stücke:

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4496 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 108 Stücke:

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PSMN5R5-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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