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PSMN5R6-60YLX

PSMN5R6-60YLX Nexperia

4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN5R6-60YLX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
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1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 26090 Stücke:
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738+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1500+2.21 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.21 EUR
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia PSMN5R6-60YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
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2+3 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX NEXPERIA PSMN5R6-60YL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
124+1.88 EUR
142+1.52 EUR
200+1.3 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
auf Bestellung 1695 Stücke:
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7+3.03 EUR
11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0002947881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1870 Stücke:
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39+6.43 EUR
74+3.15 EUR
90+2.4 EUR
200+1.89 EUR
500+1.5 EUR
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PSMN5R6-60YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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PSMN5R6-60YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1500+0.88 EUR
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PSMN5R6-60YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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3000+1.31 EUR
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MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN5R6-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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124+1.88 EUR
142+1.52 EUR
200+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN5R6-60YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
auf Bestellung 1695 Stücke:
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7+3.03 EUR
11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLX NEXP-S-A0002947881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN5R6-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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39+6.43 EUR
74+3.15 EUR
90+2.4 EUR
200+1.89 EUR
500+1.5 EUR
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