PSMN6R1-40HLX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.69 EUR |
| 112+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
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Technische Details PSMN6R1-40HLX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN6R1-40HLX nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMN6R1-40HLX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D |
auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN6R1-40HLX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN6R1-40HLX | Nexperia |
MOSFETs SOT205 2NCH 40V 40A |
auf Bestellung 13542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN6R1-40HLX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN6R1-40HLX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 239+ | 2.74 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |
| PSMN6R1-40HLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 3.52 EUR |
| 87+ | 2.69 EUR |
| 112+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| PSMN6R1-40HLX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT205 2NCH 40V 40A
MOSFETs SOT205 2NCH 40V 40A
auf Bestellung 13542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.96 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| PSMN6R1-40HLX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.97 EUR |
| 10+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |