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PSMN7R0-30YLC,115

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Produktcode: 143525
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Transistoren > MOSFET N-CH

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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia 1059200284991481psmn7r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia 1059200284991481psmn7r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia 1059200284991481psmn7r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia 1059200284991481psmn7r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia 1059200284991481psmn7r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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65+1.33 EUR
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia PSMN7R0-30YLC.pdf MOSFETs PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
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PSMN7R0-30YLC,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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65+1.33 EUR
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152+0.56 EUR
250+0.55 EUR
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MOSFETs PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK
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2+2 EUR
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Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
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