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PSMN7R5-30MLDX

PSMN7R5-30MLDX Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details PSMN7R5-30MLDX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Packaging: Tape & Reel (TR).

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PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30MLDX Nexperia 805585250162579psmn7r5-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30MLDX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-30MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30MLDX Nexperia PSMN7R5-30MLD.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 57A
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PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30MLDX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-30MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
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Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
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