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Technische Details PSMN8R0-80YLX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote PSMN8R0-80YLX nach Preis ab 0.92 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN8R0-80YLX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| PSMN8R0-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors |
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PSMN8R0-80YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V |
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PSMN8R0-80YLX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel LFPAK 80 V 8.5 mΩ standard level MOSFET |
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