| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 170+ | 3.84 EUR |
| 500+ | 3.58 EUR |
| 1000+ | 3.31 EUR |
| 10000+ | 3.06 EUR |
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Technische Details PSMN8R7-100YSFX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote PSMN8R7-100YSFX nach Preis ab 2.23 EUR bis 6.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMN8R7-100YSFX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 198W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN8R7-100YSFX | Nexperia |
MOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R7-100YSFX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
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Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.05 EUR |
| 63+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| PSMN8R7-100YSFX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 6.31 EUR |
| 10+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |