PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.36 EUR |
| 23+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
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Technische Details PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V, Verlustleistung: 45W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.
Weitere Produktangebote PSMN9R8-30MLC,115 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PSMN9R8-30MLC,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK |
auf Bestellung 2383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN9R8-30MLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V Verlustleistung: 45W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN9R8-30MLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.48 EUR |
| 10+ | 1.12 EUR |
| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 1500+ | 0.42 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| PSMN9R8-30MLC,115 |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
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