| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.39 EUR |
| 10+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| 3000+ | 2.64 EUR |
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Technische Details PSMNR56-25YLEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 333W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm.
Weitere Produktangebote PSMNR56-25YLEX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PSMNR56-25YLEX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PSMNR56-25YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMNR56-25YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMNR56-25YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)