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PSMNR60-25YLHX

PSMNR60-25YLHX Nexperia USA Inc.

PSMNR60-25YLH.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Technische Details PSMNR60-25YLHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMNR60-25YLHX PSMNR60-25YLHX Hersteller : Nexperia PSMNR60-25YLH.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 0.70 mOhm, ASFET for hotswap with enhanced SOA in LFPAK56E
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PSMNR60-25YLHX PSMNR60-25YLHX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMNR60-25YLH.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V
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PSMNR60-25YLHX Hersteller : NEXPERIA psmnr60-25ylh.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMNR60-25YLHX Hersteller : NEXPERIA PSMNR60-25YLH.pdf PSMNR60-25YLHX SMD N channel transistors
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