PSMNR70-40YSNX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.5 EUR |
| 39+ | 6.01 EUR |
| 100+ | 4.01 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |
| 1000+ | 2.59 EUR |
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Technische Details PSMNR70-40YSNX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 333W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm.
Weitere Produktangebote PSMNR70-40YSNX nach Preis ab 2.59 EUR bis 10.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMNR70-40YSNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm |
auf Bestellung 1344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMNR70-40YSNX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 24+ | 10.5 EUR |
| 39+ | 6.01 EUR |
| 100+ | 4.01 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |
| 1000+ | 2.59 EUR |