| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 250+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
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Technische Details PSMNR90-40YLHX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 333W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm.
Weitere Produktangebote PSMNR90-40YLHX nach Preis ab 1.54 EUR bis 14.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMNR90-40YLHX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Nexperia |
MOSFETs PSMNR90-40YLH/SOT1023/4 LEADS |
auf Bestellung 2009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm |
auf Bestellung 2907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm |
auf Bestellung 2907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMNR90-40YLHX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 92+ | 1.9 EUR |
| 93+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 250+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| PSMNR90-40YLHX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 3.27 EUR |
| 3000+ | 3.17 EUR |
| PSMNR90-40YLHX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMNR90-40YLH/SOT1023/4 LEADS
MOSFETs PSMNR90-40YLH/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.33 EUR |
| 10+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
| PSMNR90-40YLHX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
auf Bestellung 2907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 7.45 EUR |
| 200+ | 6.21 EUR |
| 500+ | 5.72 EUR |
| PSMNR90-40YLHX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
auf Bestellung 4315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.38 EUR |
| 10+ | 6.21 EUR |
| 100+ | 4.41 EUR |
| 500+ | 3.87 EUR |
| PSMNR90-40YLHX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
auf Bestellung 2907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.04 EUR |
| 26+ | 9.19 EUR |
| 50+ | 7.45 EUR |
| 200+ | 6.21 EUR |
| 500+ | 5.72 EUR |