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Technische Details PSMNR90-40YLHX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMNR90-40YLHX nach Preis ab 1.29 EUR bis 4.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V, 0.94 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56E using NextPower-S3Schottky-Plus technology |
auf Bestellung 7224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMNR90-40YLHX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMNR90-40YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
PSMNR90-40YLHX SMD N channel transistors |
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