PSMNR90-40YSNX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1500+ | 1.15 EUR |
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Technische Details PSMNR90-40YSNX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMNR90-40YSNX nach Preis ab 1.11 EUR bis 2.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PSMNR90-40YSNX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK |
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PSMNR90-40YSNX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V |
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PSMNR90-40YSNX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PSMNR90-40YSNX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 320A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMNR90-40YSNX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 320A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |