PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
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Technische Details PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-123, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm.
Weitere Produktangebote PSMNR90-50SLHAX nach Preis ab 4.13 EUR bis 10.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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PSMNR90-50SLHAX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-50SLHAX | Nexperia |
MOSFETs SOT1235 N-CH 50V 410A |
auf Bestellung 4213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-50SLHAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-123 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm |
auf Bestellung 1562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PSMNR90-50SLHAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-123 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm |
auf Bestellung 1562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMNR90-50SLHAX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
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| 2+ | 10.19 EUR |
| 10+ | 6.86 EUR |
| 100+ | 4.98 EUR |
| 500+ | 4.18 EUR |
| 1000+ | 4.13 EUR |
| PSMNR90-50SLHAX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1235 N-CH 50V 410A
MOSFETs SOT1235 N-CH 50V 410A
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.65 EUR |
| 10+ | 6.97 EUR |
| 50+ | 5.4 EUR |
| 100+ | 4.91 EUR |
| 1000+ | 4.49 EUR |
| 2000+ | 4.47 EUR |
| PSMNR90-50SLHAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMNR90-50SLHAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
auf Bestellung 1562 Stücke:
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