PSMNR90-80CSFJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V
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Technische Details PSMNR90-80CSFJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 505A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.55kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.
Weitere Produktangebote PSMNR90-80CSFJ nach Preis ab 11.08 EUR bis 33.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PSMNR90-80CSFJ | Nexperia |
MOSFETs PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12 |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR90-80CSFJ | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V |
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PSMNR90-80CSFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 505A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.55kW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 12Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR90-80CSFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 505A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.55kW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CCPAK1212i Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm |
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| PSMNR90-80CSFJ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
MOSFETs PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 21.49 EUR |
| 10+ | 14.88 EUR |
| 100+ | 11.71 EUR |
| 1000+ | 11.08 EUR |
| PSMNR90-80CSFJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V
Description: PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.17 EUR |
| 10+ | 16.03 EUR |
| 50+ | 12.99 EUR |
| 100+ | 12.6 EUR |
| PSMNR90-80CSFJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 505A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 505A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 24.53 EUR |
| 13+ | 17.84 EUR |
| 50+ | 15.66 EUR |
| 100+ | 14.86 EUR |
| 250+ | 12.74 EUR |
| PSMNR90-80CSFJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 505A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
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Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
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| 8+ | 33.56 EUR |
| 10+ | 24.53 EUR |
| 13+ | 17.84 EUR |
| 50+ | 15.66 EUR |
| 100+ | 14.86 EUR |
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