PSMNR98-25YLEX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.34 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| 1000+ | 3.43 EUR |
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Technische Details PSMNR98-25YLEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 255A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 192W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm.
Weitere Produktangebote PSMNR98-25YLEX nach Preis ab 1.61 EUR bis 10.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMNR98-25YLEX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR98-25YLEX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 255A |
auf Bestellung 1974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMNR98-25YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 192W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMNR98-25YLEX | Nexperia |
PSMNR98-25YLEX |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMNR98-25YLEX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V
Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.8 EUR |
| 10+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| PSMNR98-25YLEX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 255A
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 255A
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.09 EUR |
| 10+ | 3.28 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| PSMNR98-25YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.75 EUR |
| 35+ | 6.82 EUR |
| 100+ | 4.34 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| 1000+ | 3.43 EUR |
| PSMNR98-25YLEX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
PSMNR98-25YLEX
PSMNR98-25YLEX
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |



