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PSMP033-60YEX

PSMP033-60YEX Nexperia

psmp033-60ye.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMP033-60YEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.033 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMP033-60YEX PSMP033-60YEX Nexperia PSMP033-60YE.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 30A
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10+1.65 EUR
100+1.34 EUR
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PSMP033-60YEX PSMP033-60YEX Nexperia USA Inc. PSMP033-60YE.pdf Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
12+1.84 EUR
100+1.29 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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PSMP033-60YEX PSMP033-60YEX NEXPERIA 3190560.pdf Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.033 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1312 Stücke:
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78+3.22 EUR
112+2.08 EUR
126+1.7 EUR
200+1.49 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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PSMP033-60YEX PSMP033-60YEX NEXPERIA 3190560.pdf Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.033 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1312 Stücke:
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MOSFETs SOT669 N-CH 60V 30A
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1500+1.05 EUR
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Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
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PSMP033-60YEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.033 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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PSMP033-60YEX
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Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.033 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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