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PSMP055N08NS1_T0_00601

PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor

PSMP055N08NS1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Power dissipation: 136W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 65.8nC
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Technische Details PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 111A, Power dissipation: 136W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 360A, Gate charge: 65.8nC.

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