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Technische Details PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 122A, Pulsed drain current: 488A, Power dissipation: 125W, Case: DFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 53nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote PSMQC040N10NS2_R2_00601 nach Preis ab 1.1 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
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| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active |
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PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 122A Pulsed drain current: 488A Power dissipation: 125W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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