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PSMQC040N10NS2_R2_00601

PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc.


Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Technische Details PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 122A, Pulsed drain current: 488A, Power dissipation: 125W, Case: DFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 53nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
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PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit PSMQC040N10NS2.pdf MOSFETs 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
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PSMQC040N10NS2_R2_00601
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PSMQC040N10NS2_R2_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
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