| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.8 EUR |
| 10+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
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Technische Details PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W, Mounting: SMD, Case: DFN5060-8, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 53nC, On-state resistance: 6.5mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 122A, Power dissipation: 125W, Pulsed drain current: 488A.
Weitere Produktangebote PSMQC040N10NS2_R2_00601 nach Preis ab 1.1 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active |
auf Bestellung 5299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W Mounting: SMD Case: DFN5060-8 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 6.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 122A Power dissipation: 125W Pulsed drain current: 488A |
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