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PSMQC042N10LS2_R2_00201

PSMQC042N10LS2_R2_00201 Panjit International Inc.


Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Technische Details PSMQC042N10LS2_R2_00201 Panjit International Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 109A, Power dissipation: 115W, Case: DFN5060-8, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 4.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote PSMQC042N10LS2_R2_00201 nach Preis ab 1.65 EUR bis 5.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMQC042N10LS2_R2_00201 PSMQC042N10LS2_R2_00201 Panjit Panjit_5-31-2023_PSMQC042N10LS2_Final_Rev.00.pdf MOSFETs 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution
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PSMQC042N10LS2_R2_00201 PSMQC042N10LS2_R2_00201 Panjit International Inc. Description: 100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
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PSMQC042N10LS2_R2_00201 Panjit_5-31-2023_PSMQC042N10LS2_Final_Rev.00.pdf
PSMQC042N10LS2_R2_00201
Hersteller: Panjit
MOSFETs 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution
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PSMQC042N10LS2_R2_00201
PSMQC042N10LS2_R2_00201
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO
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