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PSMQC042N10LS2-R2 Panjit


Hersteller: Panjit
MOSFETs DFN 100V 109A N-CH MOSFET
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Technische Details PSMQC042N10LS2-R2 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 109A, Power dissipation: 115W, Case: DFN5060-8, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 4.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMQC042N10LS2_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 109A
Power dissipation: 115W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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PSMQC042N10LS2_R2_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 109A
Power dissipation: 115W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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