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PT2559B/L2/H2-F

PT2559B/L2/H2-F Everlight Electronics

1115pt2559b-l2-h2-f.pdf.pdf Hersteller: Everlight Electronics
Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
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Technische Details PT2559B/L2/H2-F Everlight Electronics

Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial, 3 Lead, Side View, Wavelength: 940nm, Mounting Type: Through Hole, Orientation: Side View, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C, Current - Dark (Id) (Max): 100 nA, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PT2559B/L2/H2-F PT2559B/L2/H2-F Hersteller : Everlight Electronics CO., LTD dpt-0000175.pdf Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
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PT2559B/L2/H2-F PT2559B/L2/H2-F Hersteller : Everlight Electronics Co Ltd index.php?controller=attachment&id_attachment=5343 Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, 3 Lead, Side View
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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PT2559B/L2/H2-F Hersteller : Everlight PT2559B-L2-H2-F_datasheet-51166.pdf Phototransistors IR Phototransistor
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