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PTFA080551E V1 Infineon

PTFA08551E_F_Rev_01.pdf
Hersteller: Infineon
RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2 Транзистори
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Technische Details PTFA080551E V1 Infineon

Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2, Current - Test: 600 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: H-36265-2, Technology: LDMOS, Gain: 18.5dB, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: H-36265-2, Packaging: Tray, Power - Output: 55W, Frequency: 960MHz.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PTFA080551E V1 PTFA080551E V1 Infineon Technologies PTFA08551E_F_Rev_01.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2
Current - Test: 600 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: H-36265-2
Technology: LDMOS
Gain: 18.5dB
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: H-36265-2
Packaging: Tray
Power - Output: 55W
Frequency: 960MHz
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PTFA080551E V1 PTFA080551E V1 Infineon Technologies infineon_05042021_PTFA080551E-2322534.pdf RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8 50 W
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Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2
Current - Test: 600 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: H-36265-2
Technology: LDMOS
Gain: 18.5dB
Mounting Type: Surface Mount
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