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Technische Details PTZTFTE252.0B ROHM Semiconductor
Description: ROHM - PTZTFTE252.0B - Zener-Diode, 2 V, 1 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PTZTF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Zener-Spannung, nom.: 2V, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PTZTFTE252.0B nach Preis ab 0.46 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PTZTFTE252.0B | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE ZENER 2.12V 1W PMDSPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5.66% Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.12 V Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms Supplier Device Package: PMDS Grade: Automotive Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 500 mV Qualification: AEC-Q101 |
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PTZTFTE252.0B | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - PTZTFTE252.0B - Zener-Diode, 2 V, 1 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PTZTF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2V SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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PTZTFTE252.0B | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 2.12V 1W PMDS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5.66% Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.12 V Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms Supplier Device Package: PMDS Grade: Automotive Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 500 mV Qualification: AEC-Q101 |
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