PUMB30,115 Nexperia
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Technische Details PUMB30,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMB30,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PUMB30,115 nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.08 EUR
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PUMB30,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
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PUMB30,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB30,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PUMB30,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB30,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| PUMB30,115 | Hersteller : NEXPERIA |
PUMB30.115 PNP SMD transistors |
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PUMB30,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
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PUMB30,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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PUMB30,115 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PUMB30/SOT363/SC-88 |
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