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PUMD10,115

PUMD10,115 Nexperia

pemd10_pumd10.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMD10,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD10 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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3000+0.052 EUR
6000+0.049 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD10.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.074 EUR
6000+0.067 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA528F443A2747&compId=PEMD10_PUMD10.pdf?ci_sign=2ae27035b4411fcac847e0539a92a50c9b3baa61 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
658+0.11 EUR
782+0.092 EUR
985+0.073 EUR
1330+0.054 EUR
1583+0.045 EUR
1678+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 658
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA528F443A2747&compId=PEMD10_PUMD10.pdf?ci_sign=2ae27035b4411fcac847e0539a92a50c9b3baa61 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 2300 Stücke:
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782+0.092 EUR
985+0.073 EUR
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1678+0.043 EUR
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PUMD10,115 PUMD10,115
Produktcode: 76805
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PUMD10.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 20438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1112+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1112
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 20438 Stücke:
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Anzahl Preis
1112+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1112
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD10.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 14288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
79+0.22 EUR
128+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia PUMD10.pdf Digital Transistors NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistor; R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm
auf Bestellung 6511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.4 EUR
12+0.24 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.049 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA PUMD10.pdf Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA 3048903.pdf Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1125 Stücke:
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA 183158565509012pemd10_pumd10.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PUMD10,115 Hersteller : NXP PUMD10.pdf Trans Digital BJT NP?nPNP 50V 100mA PUMD10,115 TPUMD10
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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PUMD10,115 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PUMD10.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 0,3; Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP (Pre-Biased); Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 230; hFE = 100 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА; Тексп, °С = -65.
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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