PUMD10,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.058 EUR |
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Technische Details PUMD10,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD10 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PUMD10,115 nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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PUMD10,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 18300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD10,115 | Hersteller : Nexperia Germany GmbH |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180...230MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD10,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
auf Bestellung 8980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PUMD10,115 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PUMD10/SOT363/SC-88 |
auf Bestellung 7469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PUMD10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD10 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD10 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 11900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PUMD10,115 | Hersteller : NEXPERIA |
PUMD10.115 Complementary transistors |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PUMD10,115 | Hersteller : NXP |
Trans Digital BJT NP?nPNP 50V 100mA PUMD10,115 TPUMD10 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PUMD10,115 | Hersteller : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 0,3; Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP (Pre-Biased); Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 230; hFE = 100 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА; Тексп, °С = -65. |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD10,115 Produktcode: 76805
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