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PUMD10,115

PUMD10,115 Nexperia

pemd10_pumd10.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMD10,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD10 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia PUMD10.pdf Digital Transistors SOT363 50V .1A NPN/PNP RET
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA528F443A2747&compId=PEMD10_PUMD10.pdf?ci_sign=2ae27035b4411fcac847e0539a92a50c9b3baa61 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180...230MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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264+0.27 EUR
345+0.21 EUR
421+0.17 EUR
491+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA528F443A2747&compId=PEMD10_PUMD10.pdf?ci_sign=2ae27035b4411fcac847e0539a92a50c9b3baa61 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180...230MHz
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD10.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Anzahl Preis
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65+0.27 EUR
91+0.2 EUR
104+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA 3048903.pdf Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2860 Stücke:
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA 3048903.pdf Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : NEXPERIA 183158565509012pemd10_pumd10.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD10,115 Hersteller : NXP PUMD10.pdf Trans Digital BJT NP?nPNP 50V 100mA PUMD10,115 TPUMD10
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PUMD10,115 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PUMD10.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 0,3; Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP (Pre-Biased); Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 230; hFE = 100 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА; Тексп, °С = -65.
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PUMD10,115 PUMD10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD10.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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