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PUMD10,115

PUMD10,115 Nexperia

pemd10_pumd10.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMD10,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD10 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PUMD10,115 PUMD10,115 Nexperia PUMD10.pdf PEMD10_PUMD10.pdf Digital Transistors PUMD10/SOT363/SC-88
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PUMD10,115 PUMD10,115 NEXPERIA 3048903.pdf Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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PUMD10,115 PUMD10,115 NEXPERIA PEMD10_PUMD10.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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PUMD10,115 PUMD10,115 Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD10,115 PUMD10,115 Nexperia pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD10,115 PUMD10,115 NEXPERIA 3048903.pdf Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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PUMD10,115 NXP PUMD10.pdf PEMD10_PUMD10.pdf Trans Digital BJT NP?nPNP 50V 100mA PUMD10,115 TPUMD10
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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PUMD10,115 NXP/Nexperia/We-En PEMD10_PUMD10_NXP.pdf Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,3, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP (Pre-Biased), Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 230, hFE = 100 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА, Тексп, °С = -65.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Digital Transistors PUMD10/SOT363/SC-88
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PUMD10,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 539 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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PUMD10,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMD10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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Trans Digital BJT NP?nPNP 50V 100mA PUMD10,115 TPUMD10
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
500+0.11 EUR
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,3, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP (Pre-Biased), Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 230, hFE = 100 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА, Тексп, °С = -65.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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