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Technische Details PUMD15,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMD15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD15 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PUMD15,115 nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PUMD15/SOT363/SC-88 |
auf Bestellung 12669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 9427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD15 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD15 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PUMD15,115 | Hersteller : NEXPERIA |
PUMD15.115 Complementary transistors |
auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PUMD15.115 | Hersteller : NXP |
NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD15,115 NXP TPUMD15 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PUMD15,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
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