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PUMD18,115

PUMD18,115 Nexperia

3077pemd18_pumd18.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PUMD18,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD18,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-88, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia 3077pemd18_pumd18.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia 3077pemd18_pumd18.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia 3077pemd18_pumd18.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia pemd18_pumd18.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia PUMD18.pdf Digital Transistors SOT363 50V .1A NPN/PNP RET
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD18.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Mindestbestellmenge: 48
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : NEXPERIA 2341412.pdf Description: NEXPERIA - PUMD18,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-88
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : NEXPERIA 2341412.pdf Description: NEXPERIA - PUMD18,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-88
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : NEXPERIA 183042297730720pemd18_pumd18.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia 3077pemd18_pumd18.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799F29A07BC0F8749&compId=PEMD18_PUMD18.pdf?ci_sign=c7d13a760de31bdb1f6c1740f6e22fdc9f1bece9 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Frequency: 180...230MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD18.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PUMD18,115 PUMD18,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799F29A07BC0F8749&compId=PEMD18_PUMD18.pdf?ci_sign=c7d13a760de31bdb1f6c1740f6e22fdc9f1bece9 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Frequency: 180...230MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
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