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PUMD3,115

PUMD3,115 Nexperia

pumd3.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMD3,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : NEXPERIA 2867681.pdf Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD3 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD3 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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6000+0.057 EUR
9000+0.053 EUR
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30000+0.045 EUR
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PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : Nexperia pumd3.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Anzahl Preis
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2000+0.093 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 1330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : Nexperia PUMD3.pdf Digital Transistors SOT363 50V .1A NPN/PNP RET
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Anzahl Preis
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16+0.18 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.076 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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79+0.22 EUR
127+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : NEXPERIA pemd3_pimd3_pumd3.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : Nexperia pumd3.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : NEXPERIA pemd3_pimd3_pumd3.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA5629C71CA747&compId=PEMD3_PIMD3_PUMD3.pdf?ci_sign=2c94e85c81f429e99cc70cde192cbed696e97aec Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Frequency: 180...230MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PUMD3,115 PUMD3,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA5629C71CA747&compId=PEMD3_PIMD3_PUMD3.pdf?ci_sign=2c94e85c81f429e99cc70cde192cbed696e97aec Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Frequency: 180...230MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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