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PUMH1,115

PUMH1,115 Nexperia

pumh1.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMH1,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMH1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PUMH1,115 PUMH1,115 Nexperia pumh1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMH1,115 PUMH1,115 NEXPERIA PEMH1_PUMH1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 22kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 230MHz
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500+0.17 EUR
658+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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PUMH1,115 PUMH1,115 Nexperia pumh1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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1386+0.11 EUR
1849+0.079 EUR
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Mindestbestellmenge: 534 Stücke
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PUMH1,115 PUMH1,115 Nexperia PUMH1.pdf Digital Transistors PUMH1/SOT363/SC-88
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7+0.49 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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PUMH1,115 PUMH1,115 NEXPERIA 703338.pdf Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMH1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2195 Stücke:
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320+0.79 EUR
556+0.42 EUR
926+0.23 EUR
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1500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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PUMH1,115 PUMH1,115 NEXPERIA 703338.pdf Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMH1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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500+0.79 EUR
556+0.42 EUR
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PUMH1,115 PUMH1,115 Nexperia USA Inc. PUMH1.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 4 Stücke:
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PUMH1.115 NXP 2NPN 50V 100mA 300mW PUMH1,115 NXP TPUMH1
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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PUMH1,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 22kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 230MHz
auf Bestellung 658 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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658+0.13 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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PUMH1,115
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3250 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Digital Transistors PUMH1/SOT363/SC-88
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13+0.27 EUR
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500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.092 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMH1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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PUMH1,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMH1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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Hersteller: NXP
2NPN 50V 100mA 300mW PUMH1,115 NXP TPUMH1
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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