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PUMZ2,115

PUMZ2,115 Nexperia USA Inc.

PIMZ2_PUMZ2.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz, 190MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
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Technische Details PUMZ2,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PUMZ2,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 180 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 180mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 180mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PUMZ2,115 PUMZ2,115 Hersteller : Nexperia PIMZ2_PUMZ2.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP general-purpose double transistor
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PUMZ2,115 PUMZ2,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PIMZ2_PUMZ2.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz, 190MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
auf Bestellung 8815 Stücke:
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75+0.24 EUR
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PUMZ2,115 PUMZ2,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799F2F9BE124D2749&compId=PIMZ2_PUMZ2.pdf?ci_sign=c6089b17b22134632a66385025d606e59075c966 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 169
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PUMZ2,115 PUMZ2,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799F2F9BE124D2749&compId=PIMZ2_PUMZ2.pdf?ci_sign=c6089b17b22134632a66385025d606e59075c966 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Mindestbestellmenge: 169
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PUMZ2,115 PUMZ2,115 Hersteller : NEXPERIA 3327110.pdf Description: NEXPERIA - PUMZ2,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 180 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 180mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 180mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PUMZ2,115 PUMZ2,115 Hersteller : NEXPERIA 1746969740724235pimz2_pumz2.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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