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PXN012-60QLJ

PXN012-60QLJ Nexperia

pxn012-60ql.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
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Technische Details PXN012-60QLJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc. PXN012-60QL.pdf Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ NEXPERIA 3388635.pdf Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
443+0.52 EUR
498+0.43 EUR
550+0.39 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ NEXPERIA 3388635.pdf Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
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Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4835 Stücke:
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443+0.52 EUR
498+0.43 EUR
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc. PXN012-60QL.pdf Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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45+0.48 EUR
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Nexperia PXN012-60QL.pdf MOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
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10+0.46 EUR
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1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
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PXN012-60QLJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PXN012-60QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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399+0.63 EUR
443+0.52 EUR
498+0.43 EUR
550+0.39 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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PXN012-60QLJ 3388635.pdf
PXN012-60QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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443+0.52 EUR
498+0.43 EUR
550+0.39 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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PXN012-60QLJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
45+0.48 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
250+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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PXN012-60QLJ
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 45040 Stücke:
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5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.37 EUR
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1000+0.35 EUR
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6000+0.29 EUR
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