PXN017-30QLJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
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Technische Details PXN017-30QLJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 7.9, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote PXN017-30QLJ nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PXN017-30QLJ | Nexperia |
MOSFETs PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33 |
auf Bestellung 3866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXN017-30QLJ | Nexperia USA Inc. |
Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MLPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXN017-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PXN017-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXN017-30QLJ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
MOSFETs PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.65 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| PXN017-30QLJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 0.71 EUR |
| 43+ | 0.5 EUR |
| 48+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 250+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| PXN017-30QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 197+ | 1.27 EUR |
| 247+ | 0.94 EUR |
| 333+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| PXN017-30QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 197+ | 1.27 EUR |
| 247+ | 0.94 EUR |
| 333+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |