PXN6R2-25QLJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
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Technische Details PXN6R2-25QLJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Weitere Produktangebote PXN6R2-25QLJ nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PXN6R2-25QLJ | Nexperia USA Inc. |
Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MLPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXN6R2-25QLJ | Nexperia |
MOSFETs SOT8002 N-CH 25V 13.1A |
auf Bestellung 5112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXN6R2-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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PXN6R2-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PXN6R2-25QLJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
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| PXN6R2-25QLJ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8002 N-CH 25V 13.1A
MOSFETs SOT8002 N-CH 25V 13.1A
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.76 EUR |
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| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 3000+ | 0.48 EUR |
| PXN6R2-25QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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| PXN6R2-25QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)