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PXP013-30QLJ

PXP013-30QLJ Nexperia

pxp013-30ql.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
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Technische Details PXP013-30QLJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PXP013-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0113 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PXP013-30QLJ PXP013-30QLJ Nexperia PXP013-30QL_Datasheet.pdf MOSFETs PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
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PXP013-30QLJ PXP013-30QLJ NEXPERIA PXP013-30QL_Datasheet.pdf Description: NEXPERIA - PXP013-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0113 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
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PXP013-30QLJ PXP013-30QLJ NEXPERIA PXP013-30QL_Datasheet.pdf Description: NEXPERIA - PXP013-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0113 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
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Bauform - Transistor: MLPAK33
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
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