PXP400-100QSJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
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Technische Details PXP400-100QSJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PXP400-100QSJ nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PXP400-100QSJ | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXP400-100QSJ | Nexperia |
MOSFETs SOT8002 100V 1.4A |
auf Bestellung 21300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXP400-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PXP400-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PXP400-100QSJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
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| 500+ | 0.58 EUR |
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| PXP400-100QSJ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8002 100V 1.4A
MOSFETs SOT8002 100V 1.4A
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| 1000+ | 0.6 EUR |
| 3000+ | 0.54 EUR |
| 6000+ | 0.52 EUR |
| PXP400-100QSJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| PXP400-100QSJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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