PXP6R1-30QLJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 11+ | 2.55 EUR |
| 13+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
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Technische Details PXP6R1-30QLJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.
Weitere Produktangebote PXP6R1-30QLJ nach Preis ab 1 EUR bis 2.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PXP6R1-30QLJ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33 |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PXP6R1-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PXP6R1-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXP6R1-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33 |
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PXP6R1-30QLJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V |
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