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PZT2907AT1G

PZT2907AT1G ON

PZT2907AT1.pdf
Produktcode: 20920
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-223
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : onsemi pzt2907at1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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1525+0.3 EUR
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Mindestbestellmenge: 407
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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235+0.62 EUR
373+0.37 EUR
535+0.25 EUR
713+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 235
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI PZT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 675 Stücke:
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107+0.67 EUR
145+0.49 EUR
211+0.34 EUR
247+0.29 EUR
300+0.24 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : onsemi PZT2907AT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 34661 Stücke:
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Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI 1750830.pdf Description: ONSEMI - PZT2907AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9738 Stücke:
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI 1750830.pdf Description: ONSEMI - PZT2907AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PZT2907AT1G Hersteller : ON-Semiconductor pzt2907at1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT223 PZT2907AT3G PZT2907AT1G TPZT2907a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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PZT2907AT1G Hersteller : On Semiconductor pzt2907at1-d.pdf pnp 60 V 0.6 A 200 MHz SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : onsemi pzt2907at1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : onsemi pzt2907at1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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