PZT2907AT3G ON Semiconductor
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Technische Details PZT2907AT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PZT2907AT3G nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2907AT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
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PZT2907AT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
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PZT2907AT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 170182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PZT2907AT3G |
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auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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PZT2907AT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
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