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PZTA06

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PZTA06 PZTA06 ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.5 EUR
431+0.4 EUR
492+0.33 EUR
566+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 359 Stücke
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PZTA06 PZTA06 ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1599 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 359 Stücke
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PZTA06 PZTA06 ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2080 Stücke:
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166+1.07 EUR
247+0.7 EUR
263+0.63 EUR
282+0.56 EUR
303+0.5 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
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PZTA06 PZTA06 ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2080 Stücke:
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PZTA06 PZTA06 onsemi pzta06-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
auf Bestellung 869 Stücke:
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PZTA06 PZTA06 onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 54 Stücke:
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PZTA06 PZTA06 ONSEMI ONSM-S-A0003589199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1W
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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141+1.78 EUR
226+1.02 EUR
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PZTA06 PZTA06 ONSEMI ONSM-S-A0003589199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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PZTA06 PZTA06 ONSEMI pzta06-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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PZTA06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1599 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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166+1.07 EUR
247+0.7 EUR
263+0.63 EUR
282+0.56 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZTA06
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
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PZTA06 pzta06-d.pdf
PZTA06
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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PZTA06 ONSM-S-A0003589199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PZTA06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1W
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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141+1.78 EUR
226+1.02 EUR
350+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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PZTA06 ONSM-S-A0003589199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PZTA06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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141+1.78 EUR
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PZTA06
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 3212 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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