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PZTA29

PZTA29 onsemi

pzta29-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 0.8A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details PZTA29 onsemi

Description: TRANS NPN DARL 100V 0.8A SOT-223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PZTA29 PZTA29 ON Semiconductor pzta29-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
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