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PZTA42H6327XTSA1

PZTA42H6327XTSA1 Infineon Technologies

pzta42.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PZTA42H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 300V 0.5A PG-SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.5 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PZTA42H6327XTSA1 PZTA42H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies pzta42.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a304314dca38901156a63271f218b Description: TRANS NPN 300V 0.5A PG-SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
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PZTA42H6327XTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-PZTA42-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901156a63271f218b Description: ROCHESTER ELECTRONICS - PZTA42H6327XTSA1 - AF TRANSISTORS
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PZTA42H6327XTSA1 PZTA42H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies pzta42.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
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PZTA42H6327XTSA1 PZTA42H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_PZTA42_DS_v01_01_en-1732069.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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